Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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199mOhm @ 10A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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3.5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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74 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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2950 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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208W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-220-3
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Paquet/cas
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Transistor MOSFET de puissance d'OnSemi FCP190N60-GF102
Description de produit :
L'OnSemi FCP190N60-GF102 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal avec une tension évaluée de 60V, un courant continu de drain de 190A à 25°C, et une tension maximum de drain-source de 500V. Le FCP190N60-GF102 est optimisé pour l'efficacité maximum et a une basse charge de porte de 20 OR typiques. Il comporte également une représentation améliorée du RDS (dessus) de 0.012Ω à 25°C, et une capacité de manipulation à forte intensité de 1.2A. En outre, le FCP190N60-GF102 a une température de fonctionnement maximum de 150°C et convient à un large éventail d'applications, telles que des convertisseurs de DC-DC, l'électronique grand public, et des applications des véhicules à moteur.
Caractéristiques :
• Tension évaluée : 60V
• Courant continu de drain : 190A à 25°C
• Tension maximum de Drain-source : 500V
• Charge de porte : 20 OR typiques
• Le RDS (dessus) : 0.012Ω à 25°C
• Manipulation à forte intensité : 1
