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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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L'électronique de puissance de transistor MOSFET FDBL9406-F085T6 – dispositif de changement capable à forte intensité de Haut-fiabilité performante

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Number modèle :FDBL9406-F085T6
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :40 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :45A (merci), 240A (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :1.21mOhm @ 50A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3.5V @ 190µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :75 OR @ 10 V
Vgs (maximum) :+20V, -16V
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Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
40 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
45A (merci), 240A (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
1.21mOhm @ 50A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3.5V @ 190µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
75 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
+20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4960 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
4.3W (merci), 136.4W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
8-HPSOF
Paquet/cas
8-PowerSFN

 

 

Liste de produit :

SUR le transistor MOSFET de puissance du semi-conducteur FDBL9406-F085T6

• Conception robuste et basse Sur-résistance
• la température de jonction 175°C
• Basse charge de porte
• Technologie rocailleuse d'avalanche
• Commutation rapide
• 100% examiné pour la tension de seuil de porte
• 100% examiné pour la Sur-résistance
• RoHS conforme
• Halogène libre
• 200V a évalué la tension claque de Drain-source
• Basse impédance de porte
• Diode rapide de corps
• L'ESD s'est protégé
• Basse capacité de sortie
• Double N-canal
• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

 

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