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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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L'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDBL0150N60 pour la commutation ultra-rapide et la conversion de puissance efficace

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L'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDBL0150N60 pour la commutation ultra-rapide et la conversion de puissance efficace
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Chaîne vidéo
Number modèle :FDBL0150N60
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :240A (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :1.5mOhm @ 80A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :169 OR @ 10 V
Vgs (maximum) :±20V
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L'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDBL0150N60 pour la commutation ultra-rapide et la conversion de puissance efficace
 
 
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
240A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
1.5mOhm @ 80A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
169 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
10300 PF @ 30 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
357W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
8-HPSOF
Paquet/cas
8-PowerSFN

 

 

Liste de produit :

SUR le semi-conducteur FDBL0150N60
L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Paramètres de produit :

• Tension : 600V
• Actuel : 150A
• Le RDS (dessus) : 0,080 ohms
• Charge de porte : 82nC
• Montage du type : Bâti extérieur
• Paquet/cas : TO-3P-3L
• Emballage : Tube

 

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L'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDBL0150N60 pour la commutation ultra-rapide et la conversion de puissance efficace

 

 

 

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