Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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650mOhm @ 6A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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34 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1676 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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39W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-220F-3
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Paquet/cas
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Produit : L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDPF12N60NZ
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Description de produit :
Le FDPF12N60NZ est un dispositif de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal de SUR semi-conducteur. Il a une tension maximum de drain-source (VDS) de 600V, d'un courant maximum de drain (identification) de 12A et d'un RDS (dessus) de 0,58 Ω. Ce dispositif est conçu pour des applications de changement à haute fréquence telles que des convertisseurs de DC-DC, des commandes de moteur, des alimentations d'énergie, et des convertisseurs de puissance. Il est capable d'effectuer l'opération à haute fréquence jusqu'à 100 kilohertz. Le FDPF12N60NZ est RoHS conforme et a une gamme de température de fonctionnement de -55 à +150 °C.
Caractéristiques :
- tension de la drain-source 600V (Vds)
- courant du drain 12A (identification)
- 0.58Ω le RDS (dessus)
- Capacité de changement à haute fréquence jusqu'à 100 kilohertz
- RoHS conforme
- Gamme de température de fonctionnement : °C -55 à +150
