Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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72mOhm @ 26A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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3.5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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125 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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5890 PF @ 380 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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481W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-247-3
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Paquet/cas
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Liste de produit :
FCH072N60
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Paramètres :
Type : transistor MOSFET de N-canal
Vdss (tension de Drain-source) : 600V
Identification (courant continu de drain) : 72A
Le RDS (sur la résistance) : 0.08Ω
Vgs (tension de Porte-source) : ±20V
Qg (charge de porte) : 55nC
Palladium (dissipation de puissance maximum) : 300W
Paquet : TO-247AC
