Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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25mOhm @ 6.3A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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15 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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570 PF @ 15 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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1.6W (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SuperSOT™-6
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MILLIARD de FDC 655 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal du semi-conducteur de Fairchild, logé dans un paquet SOT-23-6. Il offre une basse sur-résistance de 0,04 Ω, une basse tension de seuil de 1,0 V, et un courant continu élevé de drain de 2,5 A. MILLIARD de FDC 655 offre la représentation de changement supérieure avec une vitesse de changement rapide, et convient à un large éventail d'applications.
Ce dispositif est conçu avec une température de jonction maximum du°C 150 et une tension claque évaluée de drain-source de 30V. Il a une basse capacité entre la porte et la source, ayant pour résultat de basses pertes de changement et efficacité améliorée. MILLIARD de FDC 655 est idéal pour l'usage dans des applications à piles, car sa consommation à faible intensité lui permet de prolonger la vie de batterie. Il est également idéal pour l'usage dans des systèmes de gestion de puissance et d'autres applications de changement à grande vitesse.
MILLIARD de FDC 655 est RoHS conforme et comporte les caractéristiques de protection intégrées telles que la protection de surtension, la protection de surintensité, et la protection de court-circuit. Il a également une caractéristique de protection de surchauffe intégrée. MILLIARD de FDC 655 est un excellent choix pour les solutions performantes, fiables, et rentables de puissance.
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