China L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDPF18N20FT – haute performance commutant la basse Sur-résistance et l'opération à hautes températures wholesale

L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDPF18N20FT – haute performance commutant la basse Sur-résistance et l'opération à hautes températures

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Number modèle :FDPF18N20FT

Point d'origine :Original

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :999999

Délai de livraison :1-3 jours

Détails de empaquetage :Norme

Vidangez à la tension de source (Vdss) :200 V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :18A (comité technique)

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :140mOhm @ 9A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :26 OR @ 10 V

Vgs (maximum) :±30V

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Vidangez à la tension de source (Vdss)	200 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	18A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	140mOhm @ 9A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	26 OR @ 10 V
Vgs (maximum)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	1180 PF @ 25 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	41W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur	TO-220F-3
Paquet/cas	Plein paquet TO-220-3

L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDPF18N20FT de SUR le semi-conducteur

Description de produit :

Le FDPF18N20FT est un ultra-rapide, transistor MOSFET de puissance de SUR semi-conducteur. Il est conçu pour fournir l'excellente représentation dans un large éventail d'applications, y compris la conversion à haute fréquence de commutation et de puissance. Le dispositif comporte une structure intégrée de transistor MOSFET de PowerTrench et une technologie du conditionnement avancée.

Caractéristiques :

• Basse sur-résistance
• Commutation à grande vitesse
• Excellente représentation thermique
• Protection robuste d'ESD
• sans Pb et RoHS conformes

Caractéristiques :

• Tension de Drain-source : 20V
• Sur-résistance de Drain-source : 0.39Ω
• Charge de porte : 17nC
• Tension de coupure de Drain-source : 0.35V
• Tension de Porte-source : 5.5V
• Courant maximum de drain : 25A
• Dissipation de puissance maximum : 200W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à 175°C

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