Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Batterie de élargissement d'efficacité de P-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTGS3455T1G

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Batterie de élargissement d'efficacité de P-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTGS3455T1G

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Number modèle :NTGS3455T1G
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :P-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :30V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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Batterie de élargissement d'efficacité d'ElectronicsP-canal de puissance de transistor MOSFET de NTGS3455T1G

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
100mOhm @ 3.5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
13 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
480 PF @ 5 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
6-TSOP
Paquet/cas

 

 

 

Caractéristiques

 

 

• Le RDS très réduit (dessus)
• La vie de batterie de élargissement de rendement plus élevé
• Paquet extérieur miniature du bâti TSOP−6
• Le paquet de Pb−Free est disponible

 

 

Applications

 

• Gestion de puissance dans les produits portatifs et de Battery−Powered, c.-à-d. :
Téléphones cellulaires et sans fil, et cartes de PCMCIA

 

 

 

 

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