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L'avalanche de la force 1,05 Ω d'énergie de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FQT5P10TF PackageTO-261-4 a examiné
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ET type
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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1.05Ohm @ 500mA, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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8,2 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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250 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-223-4
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Paquet/cas
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Caractéristiques
• -1,0 A, -100 V, le RDS (dessus) =1.05 Ω (maximum) @VGS=-10 V, ID=-0.5 A
• Basse charge de porte (type. 6,3 OR)
• Bas Crss (type. 18 PF)
• L'avalanche 100% a examiné
description :
Ce transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de p-canal est produit utilisant la technologie planaire de propriété industrielle de la rayure et des dmos des semiconductor® de Fairchild. cette technologie avancée de transistor MOSFET a été particulièrement travaillée pour réduire la résistance de sur-état, et pour fournir la représentation de changement supérieure et la haute résistance d'énergie d'avalanche. ces dispositifs conviennent aux alimentations d'énergie commutées de mode, à l'amplificateur audio, au contrôle de moteur de C.C, et à l'application de changement variable de puissance
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