Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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3.41mOhm @ 30A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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2.1V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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26 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1683 PF @ 15 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.55W (merci), 30.5W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Paquet/cas
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Liste de produit :
Nom de produit : NTMFS4C025NT1G
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Type de produit : L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Paramètres :
• Tension de Drain-source (Vdss) : 25V
• Tension de Porte-source (Vgs) : 20V
• Vidangez le courant (identification) : 4A
• Sur-résistance statique de Drain-source (le RDS) : 0.0055ohm
• Dissipation de puissance (palladium) : 2.25W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à +150°C
• Support : SMD/SMT
