Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Force d'énergie du N-canal QFET de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FQT1N60CTF-WS TO-261-4
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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11.5Ohm @ 100mA, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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6,2 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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170 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.1W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-223-4
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Paquet/cas
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Description
Ce transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de N−Channel est utilisation produite SUR la rayure planaire de propriété industrielle du semi-conducteur et la technologie de DMOS. Cette technologie avancée de transistor MOSFET a été particulièrement travaillée pour réduire la résistance d'on−state, et pour fournir la représentation de changement supérieure et la haute résistance d'énergie d'avalanche. Ces dispositifs conviennent aux alimentations d'énergie commutées de mode, à la compensation de phase active (PFC), et aux ballasts électroniques de lampe.
Caractéristiques
• 0,2 A, 600 V, le RDS (dessus) = 9,3 (type.) @ VGS = 10 V, identification = 0,1 A
• Basse charge de porte (type. 4,8 OR)
• Bas Crss (type. 3,5 PF)
• L'avalanche 100% a examiné
• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme
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