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Ordinateurs portables de PowerTrench®in de P-canal de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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13mOhm @ 11A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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62 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±25V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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2470 PF @ 15 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.5W (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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8-SOIC
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Paquet/cas
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Description générale
Ce transistor MOSFET de P-canal est utilisation producted SUR le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur qui a
particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état.
Ce dispositif est bien adapté pour la gestion de puissance et les applications de changement de charge communes dans des ordinateurs portables
et paquets portatifs de batterie.
Caractéristiques
Le RDS maximum (dessus) = 13mΩ à VGS = -10V, identification = -11A
Le RDS maximum (dessus) = 21.8mΩ à VGS = -4.5V, identification = -9A
Gamme prolongée de VGS (- 25V) pour des applications de batterie
Niveau de protection de HBM ESD de 5,4 kilovolts de typique (note 3)
Hnology technique de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
Puissance élevée et capacité de remise actuelle
RoHS conforme
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