Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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FDP18N50 MOSFET Électronique de puissance Canal N UniFETTMColis TO-220applications de convertisseur de puissance à découpage
PowerTrench à canal N
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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265 mOhms à 9 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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60 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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2860 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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235W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220-3
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Paquet/caisse
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Caractéristiques
• RDS(on) = 220 mΩ (Typ.) @ V GS = 10 V, ID = 9 A
• Faible charge de grille (Typ. 45 nC)
• Faible C rss (Typ. 25 pF)
• 100 % testé contre les avalanches
Applications
• Téléviseur LCD/LED/PDP
• Éclairage
• Alimentation sans interruption
Description
Le MOSFET UniFET TM est la famille de MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor basée sur la bande planaire et la technologie DMOS.
Ce MOSFET est conçu pour réduire la résistance à l'état passant et pour fournir de meilleures performances de commutation et une force d'énergie d'avalanche plus élevée.Cette famille d'appareils convient aux applications de convertisseurs de puissance à découpage telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'alimentation des téléviseurs à écran plat (FPD), l'ATX et les ballasts de lampes électroniques.
