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NTMFS5C410NT1G Électronique de puissance MOSFET Canal N simple 40 V 0,92 m 300 A Colis 5-DFN

Tension drain à source (Vdss)	40V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	46A (Ta), 300A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0,92 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6100 pF à 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	3,9 W (Ta), 166 W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet/caisse	8-PowerTDFN, 5 fils

NTMFS5C410NT1G Électronique de puissance MOSFET Canal N simple 40 V 0,92 m 300 A Colis 5-DFN

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

NTMFS5C410NT1G Électronique de puissance MOSFET Canal N simple 40 V 0,92 m 300 A Colis 5-DFN