Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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PowerTrench à canal N
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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70 mOhms à 22 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4,5 V à 4,4 mA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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78 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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3090 pF à 400 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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312W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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D²PAK (TO-263)
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Paquet/caisse
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Description
Le MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle famille de MOSFET à super−jonction (SJ) haute tension d'ON Semiconductor qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une résistance exceptionnelle à l'état passant et des performances de charge de grille inférieures.Cette technologie avancée est conçue pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et
résister à un taux dv/dt extrême.Par conséquent, le MOSFET SUPERFET III est très approprié pour diverses conversions de puissance AC/DC pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.
Caractéristiques
• 700 V @ TJ = 150 °C
• RDS (activé) = 62 m (typ.)
• Charge de grille ultra faible (Typ. Qg = 78 nC)
• Faible capacité de sortie effective (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
• 100 % testé contre les avalanches
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes à RoHS
Applications
• Alimentations télécoms/serveurs
• Alimentations industrielles
• ASI/Solaire
