Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDMS0312AS 8-PQFN
Rectification latérale secondaire de télécom du N-canal 30V 22A 5.0mΩ de paquet
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Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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5mOhm @ 18A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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3V @ 1mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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31 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1815 PF @ 15 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.5W (merci), 36W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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8-PQFN (5x6)
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Paquet/cas
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Caractéristiques
MΩ 5,0 maximum du RDS (dessus) = à VGS = 10 V, identification = 18 A
MΩ 6,2 maximum du RDS (dessus) = à VGS = 4,5 V, identification = 16 A
Paquet et silicique avancés sur l'ion de combinat pour bas r DS (dessus) et diode de corps de SyncFET Schottky de rendement élevé ? ? Design d'emballage MSL1 robuste ? ? 100% UIL a examiné
RoHS conforme
Description générale
Le FDMS0312AS a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans l'application de conversion de puissance. Des avancements en technologies de silicium et de paquet ont été combinés pour offrir le plus bas RDS (dessus) tandis qu'excellente représentation de maintien de commutation. Ce dispositif a l'avantage supplémentaire d'une diode monolithique efficace de corps de Schottky.
Applications
Redresseur synchrone pour des convertisseurs de DC/DC
Bas commutateur latéral du carnet Vcore/GPU
Point de mise en réseau de bas commutateur latéral de charge
Rectification latérale secondaire de télécom
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