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L'électronique de puissance du transistor MOSFET FDS4685 8-SOIC empaquettent des applications de gestion de puissance du P-canal 40V
Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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27mOhm @ 8.2A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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27 OR @ 5 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1872 PF @ 20 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.5W (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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8-SOIC
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Paquet/cas
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Caractéristiques
■– 8,2 A, – 40 V le RDS (DESSUS) = 0,027 Ω @ VGS = – 10 V le RDS (DESSUS) = 0,035 Ω @ VGS = – 4,5 V
■Vitesse de changement rapide
■Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)
■Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
Applications
■Gestion de puissance
■Commutateur de charge
■Protection de batterie
Description générale
Ce transistor MOSFET de P-canal est une version rocailleuse de porte de SUR le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur. Il a été
optimisé pour des applications de gestion de puissance exigeant un large éventail d'estimations de tension d'entraînement de porte (4.5V – 20V).
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