Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FCD2250N80Z
Transistor MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II de N-canal de paquet de TO-252AA
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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2.25Ohm @ 1.3A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4.5V @ 260µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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14 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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585 PF @ 100 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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39W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-252AA
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Paquet/cas
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Caractéristiques
• 1,8 Typ du RDS (dessus) =.)
• Charge très réduite de porte (type. Qg = 11 OR)
• Bas Eoss (type. 1,1 uJ @ 400V)
• Basse capacité de sortie efficace (type. Coss (efficacité) = 51 PF)
• L'avalanche 100% a examiné
• RoHS conforme
• L'ESD a amélioré des applications de capacité
• C.A. - approvisionnement d'alimentation CC • Éclairage de LED
Description
Le transistor MOSFET de SuperFET® II est la famille à haute tension toute neuve de transistor MOSFET de la superbe-jonction du semi-conducteur de Fairchild (SJ) qui utilise la technologie d'équilibre de charge pour la basse sur-résistance exceptionnelle et la représentation inférieure de charge de porte. Cette technologie est travaillée pour réduire au maximum la perte de conduction, fournir la représentation de changement supérieure, le taux de dv/dt et l'énergie plus élevée d'avalanche. En conséquence, le transistor MOSFET de SuperFET II est très approprié aux applications de changement de puissance telles que l'adaptateur d'audio, d'ordinateur portable, l'éclairage, la puissance d'ATX et les applications industrielles de puissance.
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