Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Porte protégée parcanal 100V 20A 24m de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMC86102 Power33
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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24mOhm @ 7A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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18 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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965 PF @ 50 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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2.3W (merci), 41W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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Power33
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Paquet/cas
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Description générale
Ce transistor MOSFET de N−Channel est produit utilisant le processus avancé du POWERTRENCH des onsemi qui incorpore la technologie protégée de porte. Ce processus a été optimisé pour la résistance d'on−state mais maintenir la représentation de changement supérieure.
Caractéristiques
• Technologie protégée de transistor MOSFET de porte
• Le RDS maximum (dessus) = 24 m à VGS = 10 V, identification = 7A
• Le RDS maximum (dessus) = 38 m à VGS = 6 V, identification = 5 A
• − de profil bas 1 millimètre de maximum dans la puissance 33
• 100% UIL examiné
• Ce dispositif est Pb−Free, libre haloïde et est RoHS conforme
Applications
• Conversion de DC−DC
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