Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Électronique de puissance MOSFET FCD360N65S3R0
Pack D-PAK Canal N SUPERFET III Easy Drive 650V 10A 360m
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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360 mOhms à 5 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4,5 V à 1 mA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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18 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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730 pF à 400 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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83W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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D-PAK (TO-252)
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Paquet/caisse
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Description
Le MOSFET SUPERFETIII est la toute nouvelle famille de MOSFET à super-jonction (SJ) haute tension d'ON Semiconductor qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une résistance exceptionnelle à l'état passant et des performances de charge de grille inférieures.Cette technologie avancée est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, la série de variateurs SUPERFET III MOSFET Easy aide à gérer les problèmes d'EMI et permet une mise en œuvre plus facile de la conception.
Caractéristiques
• 700 V à TJ= 150 C
• Tapez.RDS (activé) = 310 m
• Charge de grille ultra faible (Typ. Qg = 18 nC)
• Faible capacité de sortie effective (Typ. Coss(eff.)= 173 pF)
• 100 % testé contre les avalanches
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes à RoHS
Applications
• Alimentations informatiques/d'affichage
• Alimentations télécoms/serveurs
• Alimentations industrielles
• Éclairage/Chargeur/Adaptateur
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