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2N7002H6327XTSA2 MOSFET Electronique de puissance N-channel OptiMOS™ Small-Signal-Transistor Package SOT23

Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	60V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0,6 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20 pF à 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-SOT23
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2 MOSFET Electronique de puissance N-channel OptiMOS™ Small-Signal-Transistor Package SOT23

Puce d'IC de semi-conducteur

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Gestion IC de puissance

Puces de mémoire instantanée

Transducteurs de capteurs

Relais d'usage universel

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation IGBT

Transistors de puissance de rf

L'amplificateur IC ébrèche

Isolant IC de puissance

Transistor de diode d'IC

2N7002H6327XTSA2 MOSFET Electronique de puissance N-channel OptiMOS™ Small-Signal-Transistor Package SOT23