Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Électronique de puissance N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60VEmballerPG-TSDSON-8 FL
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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9,9 mOhms à 20 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,3 V à 14 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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3,1 nC à 4,5 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1300 pF à 30 V
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Fonction FET
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Standard
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Dissipation de puissance (maximale)
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36W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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PG-TSDSON-8-FL
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Paquet/caisse
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Caractéristiques
• Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Résistance thermique supérieure
• Canal N
• Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
• Placage sans plomb ; conforme RoHS
•Sans halogèneselonIEC61249-2-21
