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IRF7465TRPBF MOSFET Electronique de puissance N-Canal Convertisseurs DC-DC haute fréquence Package 8-SOIC

Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	150V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.9A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhms à 1,14 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC à 10 V
Vg (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF à 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SO
Paquet/caisse	8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)

IRF7465TRPBF MOSFET Electronique de puissance N-Canal Convertisseurs DC-DC haute fréquence Package 8-SOIC

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

IRF7465TRPBF MOSFET Electronique de puissance N-Canal Convertisseurs DC-DC haute fréquence Package 8-SOIC