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Électronique de puissance MOSFET IRF100S201
PG-TO263-3 Package N-Channel Resonant mode alimentations
Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4,2 mOhms à 115 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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255 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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9500 pF à 50 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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441W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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PG-TO263-3
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Paquet/caisse
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Application
Applications d'entraînement de moteur à balais
Applications d'entraînement de moteur BLDC
Circuits alimentés par batterie
Topologies en demi-pont et en pont complet
Applications de redresseur synchrone
Alimentations en mode résonance
OR-ing et interrupteurs d'alimentation redondants
Convertisseurs DC/DC et AC/DC
Onduleurs DC/AC
Avantages
Amélioration de la robustesse de Gate, Avalanche et Dynamic dV/dt
Capacitance entièrement caractérisée et SOA d'avalanche
Amélioration de la capacité des diodes corporelles dV/dt et dI/dt
Sans plomb, conforme RoHS, sans halogène
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