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BSC123N08NS3GATMA1 Électronique de puissance MOSFET Canal N 80 V Paquet OptiMOSTm3 8-PowerTDFN

Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	80V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11A (Ta), 55A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12,3 mOhms à 33 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5 V à 33 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1870 pF à 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	2,5 W (Ta), 66 W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Paquet/caisse	8-PowerTDFN

BSC123N08NS3GATMA1 Électronique de puissance MOSFET Canal N 80 V Paquet OptiMOSTm3 8-PowerTDFN

Puce d'IC de semi-conducteur

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Gestion IC de puissance

Puces de mémoire instantanée

Transducteurs de capteurs

Relais d'usage universel

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation IGBT

Transistors de puissance de rf

L'amplificateur IC ébrèche

Isolant IC de puissance

Transistor de diode d'IC

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