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BSC117N08NS5ATMA1 Électronique de puissance MOSFET Canal N OptiMOSTm5 Transistor de puissance 80 V Package 8-PowerTDFN
Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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11,7 mOhms à 25 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3,8 V à 22 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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18 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1300 pF à 40 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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PG-TDSON-8-7
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Paquet/caisse
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Caractéristiques:
Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple la synchronisation.rec.
100% testé contre les avalanches
Résistance thermique supérieure
Canal N
Qualifié selon JEDECt) pour les applications cibles
Placage de plomb sans plomb, conforme RoHS
Sans halogène selon lEC61249-2-21