Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRLS3036TRL7PP Électronique de puissance MOSFET D2PAK Circuits commutés durs et haute fréquence à canal N

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IRLS3036TRL7PP Électronique de puissance MOSFET D2PAK Circuits commutés durs et haute fréquence à canal N

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Number modèle :IRLS3036TRL7PP
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :60V
Vgs (maximum) :±16V
Température de fonctionnement :-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type :Bâti extérieur
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Électronique de puissance MOSFET IRLS3036TRL7PP

Paquet D2PAK Circuits à commutation matérielle et haute fréquence à canal N

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1,9 mOhms à 180 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC à 4,5 V
Vg (Max)
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
11270 pF à 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
380W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
D2PAK (7 dérivations)
Paquet/caisse

Applications

Moteur à courant continu
Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS
Alimentation sans interruption
Commutation de puissance à grande vitesse
Circuits à commutation matérielle et haute fréquence


Avantages


Optimisé pour le lecteur de niveau logique
Très faible RDS (ON) à 4,5 V VGS
R*Q supérieur à 4,5 V VGS
Gate, Avalanche et Dynamic dV/dt améliorés
Rugosité
Capacité et avalanche entièrement caractérisées
SOA
Capacité améliorée de diode de corps dV/dt et dI/dt
Sans plomb

Pourquoi acheter chez nous >>> Rapide / En toute sécurité / Pratique



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