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BSC011N03LSATMA1 MOSFET Électronique de puissance N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	30V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	37A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1,1 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF à 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	2,5 W (Ta), 96 W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Paquet/caisse	8-PowerTDFN

BSC011N03LSATMA1 MOSFET Électronique de puissance N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30V

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

BSC011N03LSATMA1 MOSFET Électronique de puissance N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30V