Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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IRF7401TRPBF Électronique de puissance MOSFET N-Canal 20V Generation V Technology Package 8-SOIC
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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2.7V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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22 mOhms à 4,1 A, 4,5 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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700 mV à 250 µA (min)
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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48 nC à 4,5 V
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Vg (Max)
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±12V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1600 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2.5W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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8-SO
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Paquet/caisse
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Technologie de génération V
Ultra faible résistance à l'allumage
N-ChannelMosfet
Montage en surface
Disponible en bande et bobine
Notation dv/dt dynamiqueCommutation rapide
Sans plomb
Description:
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir la résistance à l'état passant la plus faible possible par zone de silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les PowerMOSFET HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le SO 8 a été modifié grâce à une grille de connexion personnalisée pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité de matrice multiple, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications de puissance.Grâce à ces améliorations, plusieurs périphériques peuvent être utilisés dans une application avec un espace carte considérablement réduit.Le boîtier est conçu pour les techniques de soudage en phase vapeur, infrarouge ou à la vague. Une dissipation de puissance supérieure à 0,8 V est possible dans une application typique de montage sur circuit imprimé.
