IRFR825TRPBF Électronique de puissance MOSFET Canal N 500V Commutation à tension nulle SMPS Package TO-252

Caractéristiques et avantages:
La diode à corps rapide élimine le besoin de diodes externes dans les applications ZVS.
Une charge de grille inférieure entraîne des exigences d'entraînement plus simples.

Un seuil de tension de grille plus élevé offre une meilleure immunité au bruit.

• Protection de la batteriePourquoi acheter chez nous >>> Rapide / En toute sécurité / Pratique
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IRFR825TRPBF Électronique de puissance MOSFET Canal N 500V Commutation à tension nulle SMPS Package TO-252

Type ET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	500V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	6A (TC)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1346 pF à 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	119W (TC)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	D-Pak
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63

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Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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