Paquet à haute fréquence TO-252 de convertisseurs du N-canal 150V DC-DC de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR24N15DTRPBF

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Paquet à haute fréquence TO-252 de convertisseurs du N-canal 150V DC-DC de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR24N15DTRPBF

Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	150 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	24A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	95mOhm @ 14A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	45 OR @ 10 V
Vgs (maximum)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	890 PF @ 25 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	140W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 175°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	D-PAK
Paquet/cas	TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63

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Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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