Paquet simple SOT-23-3 de bâti de surface du N-canal 30 V de transistors MOSFET de FETs de l'électronique de puissance du transistor MOSFET AO3418

L'électronique de puissance du transistor MOSFET AO3418

Paquet simple SOT-23-3 de bâti de surface du N-canal 30 V de transistors MOSFET de FETs

Description générale

L'AO3418 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de gat aussi basses comme 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM.

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