Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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AONS66920 Électronique de puissance MOSFET canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM boîtier haute vitesse 8-DFN

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AONS66920 Électronique de puissance MOSFET canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM boîtier haute vitesse 8-DFN

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Number modèle :AONS66920
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :100 V
Série :AlphaSGT™
Dissipation de puissance (maximum) :5W (merci), 56.5W (comité technique)
Nombre bas de produit :AONS669
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :8.2mOhm @ 20A, 10V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :17.5A (merci), 48A (comité technique)
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Électronique de puissance MOSFET AONS66920

Canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM Ensemble haute vitesse 8-DFN

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8,2 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF à 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
5W (Ta), 56.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-DFN (5x6)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

Description générale

• Technologie Trench Power AlphaSGTMC
• Faible RDS (ON)
• Conduite de niveau logique
• Excellent produit QG x RDS(ON) (FOM)
• Processus optimisé Skipe
• Conformité RoHS et sans halogène


Applications

• Commutation haute fréquence et redressement synchrone


Informations sur le produit

  • VDS 100V
  • ID (à VGS=10V) 48A
  • RDS(ON) (à VGS=10V) < 8.2mΩ
  • RDS(ON) (à VGS=4.5V) < 10.7mΩ

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