Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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AON6403 MOSFET Electronique de puissance Technologie MOSFET de tranchée avancée 30V Package 8-DFN

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AON6403 MOSFET Electronique de puissance Technologie MOSFET de tranchée avancée 30V Package 8-DFN

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Number modèle :AON6403
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :21A (merci), 85A (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :3.1mOhm @ 20A, 10V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :196 nC à 10 V
Dissipation de puissance (maximum) :2.3W (merci), 83W (comité technique)
Paquet de dispositif de fournisseur :8-DFN (5x6)
Nombre bas de produit :AON640
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Alimentation MOSFET AON6403

ÉlectroniqueAdvanced Trench MOSFET Technology 30V Package 8-DFN

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,1 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9120 pF à 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,3 W (Ta), 83 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-DFN (5x6)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

détails du produit

Description générale

L'AON6403 combine la technologie MOSFET de tranchée avancée avec un boîtier à faible résistance pour fournir un RDS(ON) extrêmement faible.Cet appareil est idéal pour les applications de commutation de charge et de protection de batterie.

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AON6403 MOSFET Electronique de puissance Technologie MOSFET de tranchée avancée 30V Package 8-DFN

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