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Électronique de puissance MOSFET AO3406
Semi-conducteur discret N-Channel 30V à utiliser comme commutateur de charge SOT-23-3
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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50 mOhms à 3,6 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,5 V à 250 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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5 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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210 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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1.4W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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SOT-23-3
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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Description générale
L'AO3406 utilise une technologie de tranchée avancée pour fournir un excellent RDS(ON) et une faible charge de grille.Cet appareil convient pour une utilisation en tant que commutateur de charge ou dans des applications PWM
A. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur une carte 1in2 FR-4 avec 2oz.Cuivre, en atmosphère calme avec TA =25°C.La valeur dans une application donnée dépend de la conception spécifique de la carte de l'utilisateur.
B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(MAX)=150°C, en utilisant une résistance thermique jonction-ambiante ≤ 10s.
C. Capacité répétitive, largeur d'impulsion limitée par la température de jonction TJ(MAX)=150°C.Les valeurs nominales sont basées sur la basse fréquence et les cycles de service pour maintenir la TJ initiale = 25 °C
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