Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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AOD508 MOSFET électronique de puissance semi-conducteur discret canal N 30V 50W boîtier de montage en Surface TO-252

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AOD508 MOSFET électronique de puissance semi-conducteur discret canal N 30V 50W boîtier de montage en Surface TO-252

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Number modèle :AOD508
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :2.5W (merci), 50W (comité technique)
Paquet/cas :TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :2010 PF @ 15 V
Nombre bas de produit :AOD50
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :49 OR @ 10 V
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Électronique de puissance MOSFET AOD508

Ensemble de montage en surface à semi-conducteur discret N-Channel 30V 50W TO-252

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhms @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2010 pF à 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

Description générale

• Dernière technologie Trench Power MOSFET 30 V

• RDS très faible (activé) à 10 VGS

• Faible charge à l'entrée

• Capacité de courant élevé

• Conformité RoHS et sans halogène

Applications

• Convertisseurs CC/CC en informatique

• Convertisseurs CC/CC isolés dans les télécommunications et l'industrie

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