Paquet TO-263 de convertisseurs de C.C de C.C du N-canal 40V de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IRL40SC228 et de C.C à C.A.

Application
le  a balayé des applications d'entraînement de moteur
applications d'entraînement de moteur du  BLDC
la batterie de  a actionné des circuits
Moitié-pont de  et topologies de plein-pont
applications synchrones de redresseur de 
alimentations d'énergie résonnantes de mode de 
joint circulaire de  et commutateurs électriques superflus
 DC/DC et convertisseurs d'AC/DC
inverseurs du  DC/AC

Avantages
le  a optimisé pour la commande de niveau de logique
porte améliorée par , avalanche et rugosité dynamique de dV/dt
le  a entièrement caractérisé la capacité et l'avalanche SOA
diode dV/dt de corps augmentée par  et capacité de dI/dt
 sans plomb *
 RoHS conforme, sans halogène

• Protection de batteriePourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément
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Paquet TO-263 de convertisseurs de C.C de C.C du N-canal 40V de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IRL40SC228 et de C.C à C.A.

Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	40 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	557A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	0.65mOhm @ 100A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	307 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	19680 PF @ 25 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	416W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 175°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Paquet/cas	TO-263-7, ² PAK (6 avances + étiquettes) de D, TO-263CB

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Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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