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Inverseurs de convertisseurs de C.C de C.C de N-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFB7545PBF et de C.C à C.A.

Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	95A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	5.9mOhm @ 57A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	3.7V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	110 OR @ 10 V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	4010 PF @ 25 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	125W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 175°C (TJ)
Montage du type	Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur	TO-220
Paquet/cas	TO-220-3

Inverseurs de convertisseurs de C.C de C.C de N-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFB7545PBF et de C.C à C.A.

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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