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Paquet TO-252 de décollement de dV de diode de corps augmenté parcanal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR3607TRPBF et de décollement de Di

Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	75 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	56A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	9mOhm @ 46A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	84 OR @ 10 V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	3070 PF @ 50 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	140W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 175°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	D-PAK
Paquet/cas	TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63

Paquet TO-252 de décollement de dV de diode de corps augmenté parcanal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR3607TRPBF et de décollement de Di

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Puces de mémoire instantanée

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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