Caractéristiques
• Faible encombrement (3,3 x 3,3 mm) pour une conception compacte
• Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
• Faible capacité pour minimiser les pertes de conducteur
• NVTFS6H850NWF − Produit à flancs mouillables
• AEC-Q101 Qualifié et PPAP Capable
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes à RoHS

• Protection de la batteriePourquoi acheter chez nous >>> Rapide / En toute sécurité / Pratique
• SKL est un actionnaire et une société commerciale de composants électroniques. Nos succursales comprennent la Chine, Hong Kong, Sigapore, Canada.Offrez des affaires, des services, des ressources et des informations à notre membre mondial.
• Les marchandises sont assurées de la meilleure qualité possible et sont livrées à nos clients partout dans le monde avec rapidité et précision.

Comment acheter >>>
• Contactez-nous par e-mail et envoyé votre demande avec votre destination de transport.
• Chat en ligne, le commissaire serait répondu dès que possible.

SAV >>>
• Expédition par transitaire dans le monde entier, DHL ,TNT ,UPS,FEDEX, etc. l'acheteur n'a pas besoin de s'inquiéter du problème d'expédition
• Nous essaierons de répondre le plus rapidement possible.Mais en raison du décalage horaire, veuillez prévoir jusqu'à 24 heures pour obtenir une réponse à votre courrier.Les produits ont été testés par certains appareils ou logiciels, nous nous assurons qu'il n'y a pas de problèmes de qualité.
• Nous nous engageons à fournir un service de transport rapide, pratique et sûr à l'acheteur mondial.

NVTFS6H850NTAG MOSFET Électronique de puissance Canal N simple80 V 9,5 m 68 A Flancs mouillables

Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	80V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11A (Ta), 68A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9,5 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 70µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1140 pF à 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	3,2 W (Ta), 107 W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet/caisse	8-PowerWDFN

NVTFS6H850NTAG MOSFET Électronique de puissance Canal N simple80 V 9,5 m 68 A Flancs mouillables

Puce d'IC de semi-conducteur

Puce programmable d'IC

Puce d'IC de circuit intégré

Unité de microcontrôleur MCU

Puces d'IC de composants électroniques

Gestion IC de puissance

Puces de mémoire instantanée

Transducteurs de capteurs

Relais d'usage universel

L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation IGBT

Transistors de puissance de rf

L'amplificateur IC ébrèche

Isolant IC de puissance

Transistor de diode d'IC

NVTFS6H850NTAG MOSFET Électronique de puissance Canal N simple80 V 9,5 m 68 A Flancs mouillables