Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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10 mOhms à 11,5 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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91 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±25V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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3970 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2,3 W (Ta), 41 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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8-MLP (3.3x3.3)
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Paquet/caisse
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Liste de produits :
Nom du produit : MOSFET de puissance à canal N FDMC6679AZ d'ON Semiconductor
Description du produit : Le MOSFET de puissance à canal N FDMC6679AZ d'ON Semiconductor est un dispositif haute vitesse basse tension entièrement déchargé conçu pour fournir des performances, une fiabilité et une faible consommation d'énergie supérieures dans une large gamme d'applications.
Caractéristiques du produit:
• Canal N
• Fonctionnement basse tension
• Commutation à grande vitesse
• Basse consommation énergétique
• Capacité de courant élevée
• Fréquence de commutation élevée
• Faible charge à l'entrée
• Fonctionnement à haute température
• Faible résistance à l'état passant
• Conforme RoHS
Spécifications du produit:
• Tension nominale : 20 V
• Courant de drain continu : 27 A
• Tension maximale de la source de drainage : -30 V
• Source de drain sur résistance : 0,0045 Ω
• Tension de seuil de grille : 2,5 V
• Température de fonctionnement maximale : 175 °C
• Type de montage : montage en surface
• Emballage/boîte : TO-252
