Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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16 mOhms à 9 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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12 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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720 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2.4W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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6 microFET (2x2)
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Paquet/caisse
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Liste de produits :
ON Semiconductor FDMA8878 Électronique de puissance MOSFET
Principales caractéristiques:
- Faible RDS(on) de 0,05 Ohms
- Faible charge à la porte
- Qg amélioré et zone d'opération sûre
- Capacité de courant de crête élevée
- Faible charge à la porte
- Commutation rapide
- Conforme RoHS
- Qualifié AEC-Q101
Applications:
- Convertisseurs DC/DC
- Onduleurs DC/AC
- Chargeurs de batterie
- Alimentations pour serveurs/ordinateurs portables
- Applications automobiles
Spécifications techniques:
- Tension drain-source (VDS) : 600 V
- Tension porte-source (VGS) : ±20 V
- Courant de drain (ID): 58A
- RDS (activé) : 0,05 Ohms
- Dissipation de puissance maximale (PD) : 115 W
- Plage de température de fonctionnement : -55°C à 150°C
