Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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NTMFS4C027NT1G Canal N 30 V 0,2 A (TDS) Électronique de puissance MOSFET Boîtier 5-DFN Canal N unique 30 V 52 A
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4,8 mOhms à 18 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,1 V à 250 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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18,2 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1670 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2,51 W (Ta), 25,5 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Paquet/caisse
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Liste de produits :
Nom du produit : Électronique de puissance MOSFET NTMFS4C027NT1G
Fabricant : ON Semiconductor
Paquet: 5-DFN
VDS (V): 30
ID (A) : 0,027
RDS (activé) (Ω) : 0,08
Nombre de canaux : 1
VGS (V): 20
Puissance (W) : 0,3
Pd (W) : 0,45
Capacité d'entrée (Ciss) (pF): 860
Configuration : Simple
Tension de claquage drain-source (Vdss) : 30 V
