Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MCH6341-TL-W MOSFET Electronique de puissance 6-MCPH Package 59mΩ 5A Portail protégé par diode ESD à canal P unique

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MCH6341-TL-W MOSFET Electronique de puissance 6-MCPH Package 59mΩ 5A Portail protégé par diode ESD à canal P unique

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Number modèle :MCH6341-TL-W
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :P-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :30V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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Électronique de puissance MOSFET MCH6341-TL-W

Boîtier 6-MCPH 59mΩ 5A Portail protégé par diode ESD à canal P unique

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59 mOhms à 3 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,6 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF à 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
6-MCPH
Paquet/caisse

Caractéristiques

• RDS faible (activé)
• Entraînement 4V • Conformité sans plomb et RoHS
• Grille protégée par diode ESD

Caractéristiques

Valeurs nominales maximales absolues à Ta=25 °C

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