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Électronique de puissance MOSFET IRF530NPBF
Applications de commutation MOSFET canal N haute puissance
Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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90 mOhms à 9 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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37 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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920 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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70W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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Liste de produits :
Nom du produit : MOSFET IRF530NPBF
Type d'emballage : TO-220
Tension maximale de la source de vidange : 100 V
Tension maximale de la source de la porte : 20 V
Courant de drain continu : 16 A
Courant de drain pulsé : 100 A
Temps de montée/descente : 45nS
RDS (activé) : 0,8 ohm
Vgs(e): 2-4V
Résistance thermique : 2,7 °C/W
Plage de température de fonctionnement : -55 à +175°C
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