Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRF530NPBF MOSFET Électronique de puissance Applications de commutation MOSFET à canal N haute puissance

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IRF530NPBF MOSFET Électronique de puissance Applications de commutation MOSFET à canal N haute puissance

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Number modèle :IRF530NPBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Résistance thermique :2.7°C/W
Paquet/cas :TO-220-3
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :100 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :17A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Électronique de puissance MOSFET IRF530NPBF

Applications de commutation MOSFET canal N haute puissance

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhms à 9 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
70W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-220AB
Paquet/caisse


Liste de produits :

Nom du produit : MOSFET IRF530NPBF

Type d'emballage : TO-220

Tension maximale de la source de vidange : 100 V

Tension maximale de la source de la porte : 20 V

Courant de drain continu : 16 A

Courant de drain pulsé : 100 A

Temps de montée/descente : 45nS

RDS (activé) : 0,8 ohm

Vgs(e): 2-4V

Résistance thermique : 2,7 °C/W

Plage de température de fonctionnement : -55 à +175°C

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