Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Alimentation MOSFET IPP045N10N3GXKSA1
Électronique NChannel MOSFET pour les applications de commutation
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4,5 mOhms à 100 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3,5 V à 150 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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117 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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8410 pF à 50 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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214W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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PG-TO220-3
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Paquet/caisse
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Description:
Le MOSFET IPP045N10N3GXKSA1 est conçu pour les applications de commutation à grande vitesse.Il s'agit d'un MOSFET en mode d'amélioration du canal N avec une énergie d'avalanche nominale de 70 mJ, un courant de drain nominal de 45 A, une résistance à l'état passant drain-source de 0,010 Ohm et une charge nominale de grille de 31 nC.Il a également une tension de seuil de 2,0 V et une charge de grille totale de 46 nC.
De plus, il présente une tension drain-source maximale de 45 V, une résistance à l'état passant drain-source maximale de 0,013 Ohm et une tension grille-source maximale de 20 V.Le MOSFET est logé dans un boîtier PowerPAK SO-8N, qui est conforme RoHS. Il s'agit d'un MOSFET à canal N avec une tension drain-source maximale de 100 V.Il a un RDS(on) de 0,45Ω et un ID de 45A.Il est idéal pour les applications de commutation à grande vitesse.
Caractéristiques:
• Tension drain-source maximale : 100 V
• RDS (activé) : 0,45 Ω
• ID : 45 A
• Vitesse de commutation rapide
• Tension de seuil de grille basse
• Faible résistance à l'état passant
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