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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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IRLB3813PBF MOSFET électronique de puissance haute performance commutation rapide conversion de puissance à faible perte

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Number modèle :IRLB3813PBF

Point d'origine :Original

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :999999

Délai de livraison :1 - 3 jours

Détails de empaquetage :Norme

Type de FET :N-canal

technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :30V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :260A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Vidangez la tension de source :55V (maximum)

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IRKG3813PBFMSEFHEPouvoirÉlectronique

Conversion de puissance à faible perte à commutation rapide haute performance

Liste de produits :

Nom du produit : Transistor MOSFET IRLB3813PBF

Description : L'IRLB3813PBF est un transistor MOSFET de puissance à canal N d'Infineon Technologies.Il est construit à partir d'un MOSFET à tranchée hautes performances et convient à une large gamme d'applications de commutation de puissance.L'appareil dispose d'un faible RDS(on) efficace et d'une faible charge de grille pour réduire les pertes de puissance dans le système.

Paramètres:

• RDS (activé) : 8,3 mΩ (max) à VGS = 10 V
• Tension de seuil de porte : 2,5 V (max)
• Courant de drain continu : 25 A (max) à Tc = 25 °C
• Tension de la source de vidange : 55 V (max)
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à 150 °C
• Sans plomb et conforme RoHS

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