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MSEFHEPouvoirÉlectroniqueMGSF2N02ELT1G SOT-23 Package 2,8 A Transistor MOSFET de mode d'amélioration de canal 20 VN
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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2.5V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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85 mOhms à 3,6 A, 4,5 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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1V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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3,5 nC à 4 V
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Vg (Max)
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±8V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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150 pF à 5 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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1.25W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquet/caisse
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Ces MOSFET miniatures à montage en surface à faible RDS(on) assurent
une perte de puissance minimale et une économie d'énergie, ce qui rend ces appareils idéaux
pour une utilisation dans des circuits de gestion de l'alimentation sensibles à l'espace.
Caractéristiques
• Le faible RDS(on) offre une efficacité supérieure et prolonge la durée de vie de la batterie
• Le boîtier de montage en surface SOT−23 miniature permet d'économiser de l'espace sur la carte
• IDSS spécifié à température élevée
• Qualifié AEC Q101 et compatible PPAP − MVSF2N02EL
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes à RoHS
Applications
• Convertisseurs CC-CC
• Gestion de l'alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie, c'est-à-dire :
Ordinateurs, imprimantes, cartes PCMCIA, cellulaires et sans fil
Téléphones
