Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Mosfet IRF8788TRPBF dans la haute tension et le courant nominal de l'électronique de puissance

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Mosfet IRF8788TRPBF dans la haute tension et le courant nominal de l'électronique de puissance

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Number modèle :IRF8788TRPBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Type de produit :L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Fabricant :Infineon Technologies
Fabricant Product Number :IRF8788TRPBF
Description :Transistor MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Fabricant Standard Lead Time :1-7days
Description détaillée :Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 30 V 24A (ventres) 8-SO
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Électronique de puissance MOSFET IRF8788TRPBF

Description du produit : L'IRF8788TRPBF est un dispositif électronique de puissance MOSFET avancé.Il est conçu pour fournir des performances supérieures dans les applications nécessitant une commutation de courant et de tension élevés.Il a une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à courant élevé.

Caractéristiques:


• Faible résistance à l'état passant
• Vitesse de commutation rapide
• Capacité de courant élevé
• Protection ESD (±20kV HBM)
• Réduction EMI
• Protection d'arrêt thermique
• Sans plomb, conforme RoHS

Notes maximales absolues :


• Tension de source de drain (VDS) : 100 V
• Tension de source de grille (VGS) : ± 20 V
• Courant de drain (ID) : 10 A
• Dissipation de puissance (PD) : 0,5 W
• Plage de température de fonctionnement (TJ) : -55 à 150 °C
• Plage de température de stockage (Tstg) : -55 à 150 °C

Paquet : D2PAK

Fabricant : Infineon Technologies

État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,8 mOhms à 24 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,35 V à 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC à 4,5 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5720 pF à 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-SO
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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Mosfet IRF8788TRPBF dans la haute tension et le courant nominal de l'électronique de puissance

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