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Électronique de puissance MOSFET IRF8788TRPBF
Description du produit : L'IRF8788TRPBF est un dispositif électronique de puissance MOSFET avancé.Il est conçu pour fournir des performances supérieures dans les applications nécessitant une commutation de courant et de tension élevés.Il a une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à courant élevé.
Caractéristiques:
• Faible résistance à l'état passant
• Vitesse de commutation rapide
• Capacité de courant élevé
• Protection ESD (±20kV HBM)
• Réduction EMI
• Protection d'arrêt thermique
• Sans plomb, conforme RoHS
Notes maximales absolues :
• Tension de source de drain (VDS) : 100 V
• Tension de source de grille (VGS) : ± 20 V
• Courant de drain (ID) : 10 A
• Dissipation de puissance (PD) : 0,5 W
• Plage de température de fonctionnement (TJ) : -55 à 150 °C
• Plage de température de stockage (Tstg) : -55 à 150 °C
Paquet : D2PAK
Fabricant : Infineon Technologies
État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,8 mOhms à 24 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,35 V à 100 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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66 nC à 4,5 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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5720 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2.5W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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8-SO
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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