Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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IRL60HS118 MOSFET Liste des produits électroniques de puissance
Nom du produit : Électronique de puissance MOSFET IRL60HS118
Description : Ce MOSFET est conçu pour être utilisé dans des applications haute fréquence, telles que les alimentations à découpage, les entraînements de moteur et les amplificateurs de puissance.Il offre d'excellentes performances de commutation, avec une faible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et une vitesse de commutation rapide.
Caractéristiques et avantages:
• Faible résistance à l'état passant : Fournit une faible perte de conduction et une efficacité améliorée
• Faible charge de grille : permet un temps de commutation rapide
• Fonctionnement haute fréquence : idéal pour les applications de commutation haute fréquence
• Conformité RoHS : Conforme aux réglementations environnementales RoHS
Caractéristiques:
• Tension drain-source (Vdss) : 400 V
• Courant de drain continu (Id) : 15 A
• Tension porte-source (Vgs) : ± 20 V
• Dissipation de puissance (Pd) : 135 W
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
• Style de boîtier de transistor : TO-220AB
• Type de canal : canal N.
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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17 mOhms à 11 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,3 V à 10 µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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8 nC à 4,5 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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660 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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11.5W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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6-PQFN (2x2)
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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